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DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

Solo per riferimento

Numero parte DMN1029UFDB-13
PNEDA Part # DMN1029UFDB-13
Descrizione MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.766
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN1029UFDB-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN1029UFDB-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMN1029UFDB-13, DMN1029UFDB-13 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 444,2 KB)
PDFDMN1029UFDB-13 Datasheet Copertura
DMN1029UFDB-13 Datasheet Pagina 2 DMN1029UFDB-13 Datasheet Pagina 3 DMN1029UFDB-13 Datasheet Pagina 4 DMN1029UFDB-13 Datasheet Pagina 5 DMN1029UFDB-13 Datasheet Pagina 6

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  • DMN1029UFDB-13 Distributor

DMN1029UFDB-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.6nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds914pF @ 6V
Potenza - Max1.4W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreU-DFN2020-6 (Type B)

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

955pF @ 20V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

DMN63D8LDW-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

220mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

870nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

22pF @ 25V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 25V

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

701pF @ 25V

Potenza - Max

32W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Surface Mount

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.55V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

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