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DMN1023UCB4-7

DMN1023UCB4-7

Solo per riferimento

Numero parte DMN1023UCB4-7
PNEDA Part # DMN1023UCB4-7
Descrizione MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1010-4
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.474
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN1023UCB4-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN1023UCB4-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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DMN1023UCB4-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN-Channel
Funzione FET-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia4-UFBGA, WLBGA
Pacchetto dispositivo fornitoreU-WLB1010-4

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 10V

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 100A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 34mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8200pF @ 10V

Potenza - Max

520W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V

Potenza - Max

38W (Tc), 83W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PowerPair® (6x5)

DMG1023UVQ-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

724pF @ 25V

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