DMG8N65SCT
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Numero parte | DMG8N65SCT |
PNEDA Part # | DMG8N65SCT |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB |
Produttore | Diodes Incorporated |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 5.292 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 8 - nov 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMG8N65SCT Risorse
Brand | Diodes Incorporated |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | DMG8N65SCT |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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DMG8N65SCT Specifiche
Produttore | Diodes Incorporated |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1217pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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