DMG6601LVT-7
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| Numero parte | DMG6601LVT-7 |
| PNEDA Part # | DMG6601LVT-7 |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 1.256.124 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMG6601LVT-7 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMG6601LVT-7 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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DMG6601LVT-7 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.8A, 2.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 3.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 422pF @ 15V |
| Potenza - Max | 850mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TSOT-26 |
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