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DMC31D5UDJ-7

DMC31D5UDJ-7

Solo per riferimento

Numero parte DMC31D5UDJ-7
PNEDA Part # DMC31D5UDJ-7
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V SOT963
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.448
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMC31D5UDJ-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMC31D5UDJ-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMC31D5UDJ-7, DMC31D5UDJ-7 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 344,34 KB)
PDFDMC31D5UDJ-7 Datasheet Copertura
DMC31D5UDJ-7 Datasheet Pagina 2 DMC31D5UDJ-7 Datasheet Pagina 3 DMC31D5UDJ-7 Datasheet Pagina 4 DMC31D5UDJ-7 Datasheet Pagina 5 DMC31D5UDJ-7 Datasheet Pagina 6 DMC31D5UDJ-7 Datasheet Pagina 7 DMC31D5UDJ-7 Datasheet Pagina 8 DMC31D5UDJ-7 Datasheet Pagina 9

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DMC31D5UDJ-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C220mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.38nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds22.6pF @ 15V
Potenza - Max350mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-963
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-963

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

880mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

490mOhm @ 880mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

570mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2550pF @ 15V

Potenza - Max

3W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V, 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA, 3.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

27.6pF @ 10V

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

435pF @ 10V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

467pF @ 6V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

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