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DMC3025LSDQ-13

DMC3025LSDQ-13

Solo per riferimento

Numero parte DMC3025LSDQ-13
PNEDA Part # DMC3025LSDQ-13
Descrizione MOSFETN/P-CH30VSO-8
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.022
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 16 - apr 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMC3025LSDQ-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMC3025LSDQ-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMC3025LSDQ-13, DMC3025LSDQ-13 Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 518,83 KB)
PDFDMC3025LSDQ-13 Datasheet Copertura
DMC3025LSDQ-13 Datasheet Pagina 2 DMC3025LSDQ-13 Datasheet Pagina 3 DMC3025LSDQ-13 Datasheet Pagina 4 DMC3025LSDQ-13 Datasheet Pagina 5 DMC3025LSDQ-13 Datasheet Pagina 6 DMC3025LSDQ-13 Datasheet Pagina 7 DMC3025LSDQ-13 Datasheet Pagina 8 DMC3025LSDQ-13 Datasheet Pagina 9 DMC3025LSDQ-13 Datasheet Pagina 10 DMC3025LSDQ-13 Datasheet Pagina 11

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  • DMC3025LSDQ-13 Distributor

DMC3025LSDQ-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.5A (Ta), 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 7.4A, 10V, 45mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.6nC, 5.1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds501pF, 590pF @ 15V, 25V
Potenza - Max1.2W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® (2x5)

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 4V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

103mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 15V

Potenza - Max

1.8W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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APTM100H45STG

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V (1kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

540mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

154nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4350pF @ 25V

Potenza - Max

357W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V, 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

230mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

80pF @ 10V

Potenza - Max

1.25W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

680mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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