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DMC21D1UDA-7B

DMC21D1UDA-7B

Solo per riferimento

Numero parte DMC21D1UDA-7B
PNEDA Part # DMC21D1UDA-7B
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V X2DFN0806-6
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.888
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMC21D1UDA-7B Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMC21D1UDA-7B
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMC21D1UDA-7B, DMC21D1UDA-7B Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 489,3 KB)
PDFDMC21D1UDA-7B Datasheet Copertura
DMC21D1UDA-7B Datasheet Pagina 2 DMC21D1UDA-7B Datasheet Pagina 3 DMC21D1UDA-7B Datasheet Pagina 4 DMC21D1UDA-7B Datasheet Pagina 5 DMC21D1UDA-7B Datasheet Pagina 6 DMC21D1UDA-7B Datasheet Pagina 7 DMC21D1UDA-7B Datasheet Pagina 8 DMC21D1UDA-7B Datasheet Pagina 9 DMC21D1UDA-7B Datasheet Pagina 10

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DMC21D1UDA-7B Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C455mA (Ta), 328mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.41nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds31pF @ 15V, 28.5pF @ 15V
Potenza - Max300mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreX2-DFN0806-6

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18.5A (Ta), 30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.75mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.3nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

940pF @ 15V

Potenza - Max

3.7W (Ta), 16.7W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 220mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Potenza - Max

200mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.6A (Ta), 3.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V, 95mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 15V, 254pF @ 15V

Potenza - Max

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 4.5V

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