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DMC1030UFDBQ-13

DMC1030UFDBQ-13

Solo per riferimento

Numero parte DMC1030UFDBQ-13
PNEDA Part # DMC1030UFDBQ-13
Descrizione MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.844
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 15 - apr 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMC1030UFDBQ-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMC1030UFDBQ-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMC1030UFDBQ-13, DMC1030UFDBQ-13 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 558,51 KB)
PDFDMC1030UFDBQ-13 Datasheet Copertura
DMC1030UFDBQ-13 Datasheet Pagina 2 DMC1030UFDBQ-13 Datasheet Pagina 3 DMC1030UFDBQ-13 Datasheet Pagina 4 DMC1030UFDBQ-13 Datasheet Pagina 5 DMC1030UFDBQ-13 Datasheet Pagina 6 DMC1030UFDBQ-13 Datasheet Pagina 7 DMC1030UFDBQ-13 Datasheet Pagina 8 DMC1030UFDBQ-13 Datasheet Pagina 9

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DMC1030UFDBQ-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FETN and P-Channel Complementary
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23.1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1003pF @ 6V
Potenza - Max1.36W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreU-DFN2020-6 (Type B)

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 22mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 10V

Potenza - Max

780W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

DMC6070LFDH-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A, 2.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

731pF @ 20V

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

V-DFN3030-8

DMHT6016LFJ-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

4 N-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

864pF @ 30V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

12-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel, Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

404pF @ 20V

Potenza - Max

1.6W, 1.7W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

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