DMA150E1600NA
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| Numero parte | DMA150E1600NA |
| PNEDA Part # | DMA150E1600NA |
| Descrizione | DIODE GP 1.6KV 150A SOT227B |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.194 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMA150E1600NA Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMA150E1600NA |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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DMA150E1600NA Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 150A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 150A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 1600V |
| Capacità @ Vr, F | 60pF @ 400V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-227-4, miniBLOC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
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Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 16A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 16A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F 887pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
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