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DI9945T

DI9945T

Solo per riferimento

Numero parte DI9945T
PNEDA Part # DI9945T
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.220
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DI9945T Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDI9945T
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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DI9945T Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds435pF @ 25V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N Channel (Phase Leg)

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1700V (1.7kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 50A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 2.5mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

190nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3080pF @ 1000V

Potenza - Max

350W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

FDS6990AS

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®, SyncFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 15V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

NTHD4502NT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 15V

Potenza - Max

640mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

ChipFET™

SI7222DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 20V

Potenza - Max

17.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® 1212-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 1212-8 Dual

SI4936ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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