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DGD21904MS14-13

DGD21904MS14-13

Solo per riferimento

Numero parte DGD21904MS14-13
PNEDA Part # DGD21904MS14-13
Descrizione IC GATE DRV HALF-BRIDG 14SO 2.5K
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.124
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 14 - apr 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DGD21904MS14-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDGD21904MS14-13
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
DGD21904MS14-13, DGD21904MS14-13 Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 738,6 KB)
PDFDGD21904MS14-13 Datasheet Copertura
DGD21904MS14-13 Datasheet Pagina 2 DGD21904MS14-13 Datasheet Pagina 3 DGD21904MS14-13 Datasheet Pagina 4 DGD21904MS14-13 Datasheet Pagina 5 DGD21904MS14-13 Datasheet Pagina 6 DGD21904MS14-13 Datasheet Pagina 7 DGD21904MS14-13 Datasheet Pagina 8 DGD21904MS14-13 Datasheet Pagina 9 DGD21904MS14-13 Datasheet Pagina 10 DGD21904MS14-13 Datasheet Pagina 11

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DGD21904MS14-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaIGBT, N-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione10V ~ 20V
Tensione logica - VIL, VIH0.8V, 2.5V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)4.5A, 4.5A
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Tempo di salita / discesa (tipico)25ns, 20ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore14-SO

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

4.5A, 4.5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

12ns, 12ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN-S (6x5)

IR2118SPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

6V, 9.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

80ns, 40ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

L6741

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

5V ~ 12V

Tensione logica - VIL, VIH

1V, 2.3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

41V

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Temperatura di esercizio

0°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

NCP3418ADR2

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.6V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

30V

Tempo di salita / discesa (tipico)

18ns, 10ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

ISL89164FRTAZ-T

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 16V

Tensione logica - VIL, VIH

1.22V, 2.08V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

6A, 6A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

20ns, 20ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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