DF80R12W2H3_B11
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| Numero parte | DF80R12W2H3_B11 |
| PNEDA Part # | DF80R12W2H3_B11 |
| Descrizione | IGBT MODULE VCES 1200V 160A |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.236 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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DF80R12W2H3_B11 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DF80R12W2H3_B11 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
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DF80R12W2H3_B11 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | * |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | - |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Potenza - Max | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | - |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
| Input | - |
| Termistore NTC | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 600A Potenza - Max 2250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 400A Corrente - Taglio collettore (Max) 8mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 28nF @ 25V Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D4 Pacchetto dispositivo fornitore D4 |
