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DF300R12KE3HOSA1

DF300R12KE3HOSA1

Solo per riferimento

Numero parte DF300R12KE3HOSA1
PNEDA Part # DF300R12KE3HOSA1
Descrizione IGBT MODULE VCES 650V 300A
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.194
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 15 - apr 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DF300R12KE3HOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDF300R12KE3HOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
DF300R12KE3HOSA1, DF300R12KE3HOSA1 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 169,16 KB)
PDFDF300R12KE3HOSA1 Datasheet Copertura
DF300R12KE3HOSA1 Datasheet Pagina 2 DF300R12KE3HOSA1 Datasheet Pagina 3 DF300R12KE3HOSA1 Datasheet Pagina 4 DF300R12KE3HOSA1 Datasheet Pagina 5 DF300R12KE3HOSA1 Datasheet Pagina 6 DF300R12KE3HOSA1 Datasheet Pagina 7 DF300R12KE3HOSA1 Datasheet Pagina 8 DF300R12KE3HOSA1 Datasheet Pagina 9

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DF300R12KE3HOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)480A
Potenza - Max1470W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 300A
Corrente - Taglio collettore (Max)5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce21nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Full Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70A

Potenza - Max

175W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.1nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

CM300DX-24A

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300A

Potenza - Max

1890W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

47nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGT100DA60TG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Potenza - Max

340W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.1nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

CM200DY-34A

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

1980W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

49.4nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGT300TL65G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

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