DF23MR12W1M1B11BOMA1
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| Numero parte | DF23MR12W1M1B11BOMA1 |
| PNEDA Part # | DF23MR12W1M1B11BOMA1 |
| Descrizione | MOSFET MODULE 1200V 25A |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.610 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | feb 19 - feb 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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DF23MR12W1M1B11BOMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DF23MR12W1M1B11BOMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
DF23MR12W1M1B11BOMA1, DF23MR12W1M1B11BOMA1 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 583,63 KB)
  
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DF23MR12W1M1B11BOMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™+ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 25A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 620nC @ 15V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 800V |
| Potenza - Max | 20mW |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 89A Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 44.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 112nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6850pF @ 25V Potenza - Max 357W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP4 Pacchetto dispositivo fornitore SP4 |
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