DF160R12W2H3_B11
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| Numero parte | DF160R12W2H3_B11 |
| PNEDA Part # | DF160R12W2H3_B11 |
| Descrizione | IGBT MODULE VCES 1200V 150A |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.942 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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DF160R12W2H3_B11 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DF160R12W2H3_B11 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
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DF160R12W2H3_B11 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | * |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | - |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Potenza - Max | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | - |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
| Input | - |
| Termistore NTC | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Configurazione - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Potenza - Max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Corrente - Taglio collettore (Max) - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce - Input - Termistore NTC - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
