DF160R12W2H3FB11BOMA1
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| Numero parte | DF160R12W2H3FB11BOMA1 |
| PNEDA Part # | DF160R12W2H3FB11BOMA1 |
| Descrizione | MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.682 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida) |
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DF160R12W2H3FB11BOMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DF160R12W2H3FB11BOMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori a ponte |
| Datasheet |
DF160R12W2H3FB11BOMA1, DF160R12W2H3FB11BOMA1 Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 791,69 KB)
  
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DF160R12W2H3FB11BOMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | - |
| Tecnologia | - |
| Tensione - Picco inverso (Max) | - |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | - |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Single Phase Tecnologia Standard Tensione - Picco inverso (Max) 800V Corrente - Media Rettificata (Io) 2.3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 950mV @ 2A Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 800V Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 4-SIP, GSIB-5S Pacchetto dispositivo fornitore GSIB-5S |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di diodo Single Phase Tecnologia Standard Tensione - Picco inverso (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 900mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Corrente - Perdita inversa @ Vr 350µA @ 30V Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-253-4, TO-253AA Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT143-4 |
