DF11MR12W1M1B11BPSA1
Solo per riferimento
| Numero parte | DF11MR12W1M1B11BPSA1 |
| PNEDA Part # | DF11MR12W1M1B11BPSA1 |
| Descrizione | MOSFET MOD 1200V 50A |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.542 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 1 - apr 6 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
DF11MR12W1M1B11BPSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | DF11MR12W1M1B11BPSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- DF11MR12W1M1B11BPSA1 Datasheet
- where to find DF11MR12W1M1B11BPSA1
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies DF11MR12W1M1B11BPSA1
- DF11MR12W1M1B11BPSA1 PDF Datasheet
- DF11MR12W1M1B11BPSA1 Stock
- DF11MR12W1M1B11BPSA1 Pinout
- Datasheet DF11MR12W1M1B11BPSA1
- DF11MR12W1M1B11BPSA1 Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- DF11MR12W1M1B11BPSA1 Price
- DF11MR12W1M1B11BPSA1 Distributor
DF11MR12W1M1B11BPSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™+ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.5mOhm @ 50A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.55V @ 20mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124nC @ 15V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3680pF @ 800V |
| Potenza - Max | 20mW |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | AG-EASY1BM-2 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V, 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 10V Potenza - Max 1.25W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSST |
Produttore Sanken Serie - Tipo FET 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 10V Potenza - Max 5W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads Pacchetto dispositivo fornitore 15-ZIP |
Produttore IXYS Serie - Tipo FET 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 110A Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 24-SMD, Gull Wing Pacchetto dispositivo fornitore 24-SMD |
Produttore Rohm Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 10V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
Produttore ON Semiconductor Serie UltraFET™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V Potenza - Max 2.5W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
