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DDTB113EU-7-F

DDTB113EU-7-F

Solo per riferimento

Numero parte DDTB113EU-7-F
PNEDA Part # DDTB113EU-7-F
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.034
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DDTB113EU-7-F Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDDTB113EU-7-F
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
DDTB113EU-7-F, DDTB113EU-7-F Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 109,74 KB)
PDFDDTB143EU-7-F Datasheet Copertura
DDTB143EU-7-F Datasheet Pagina 2 DDTB143EU-7-F Datasheet Pagina 3

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DDTB113EU-7-F Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo di transistorPNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)500mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)1 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)1 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce33 @ 50mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA
Frequenza - Transizione200MHz
Potenza - Max200mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-323

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

2.2 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

2.2 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 20mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

DDTA143XCA-7-F

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

SC-85

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Tipo di transistor

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Resistenza - Base (R1)

22 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

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