D950N18TXPSA1
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| Numero parte | D950N18TXPSA1 |
| PNEDA Part # | D950N18TXPSA1 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1.8KV 950A |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.034 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida) |
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D950N18TXPSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | D950N18TXPSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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D950N18TXPSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1800V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 950A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.12V @ 650A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40mA @ 1800V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-200AA, A-PUK |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 180°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 975mV @ 8A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
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