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D850N40TXPSA1

D850N40TXPSA1

Solo per riferimento

Numero parte D850N40TXPSA1
PNEDA Part # D850N40TXPSA1
Descrizione DIODE GEN PURP 4KV 850A
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.598
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 4 - nov 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

D850N40TXPSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteD850N40TXPSA1
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
D850N40TXPSA1, D850N40TXPSA1 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 230,91 KB)
PDFD850N34TXPSA1 Datasheet Copertura
D850N34TXPSA1 Datasheet Pagina 2 D850N34TXPSA1 Datasheet Pagina 3 D850N34TXPSA1 Datasheet Pagina 4 D850N34TXPSA1 Datasheet Pagina 5 D850N34TXPSA1 Datasheet Pagina 6 D850N34TXPSA1 Datasheet Pagina 7 D850N34TXPSA1 Datasheet Pagina 8

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D850N40TXPSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)4000V
Corrente - Media Rettificata (Io)850A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.28V @ 850A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr50mA @ 4000V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaDO-200AB, B-PUK
Pacchetto dispositivo fornitore-
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 160°C

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Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-213AB, MELF (Glass)

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-213AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

SUPERECTIFIER®

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 500mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

250ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

4pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-213AA (Glass)

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-213AA (GL34)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

250ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

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Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

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Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

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Corrente - Perdita inversa @ Vr

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Capacità @ Vr, F

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