CYD18S72V18-200BGXI
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| Numero parte | CYD18S72V18-200BGXI | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | CYD18S72V18-200BGXI | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IC SRAM 18M PARALLEL 484FBGA | ||||||||||||||||||
| Produttore | Cypress Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 657 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * | ||||||||||||||||||
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CYD18S72V18-200BGXI Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CYD18S72V18-200BGXI |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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CYD18S72V18-200BGXI Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Dimensione della memoria | 18Mb (256K x 72) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 200MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 3.3ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 484-FBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 484-FBGA (23x23) |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria 32Gb (1G x 32) Interfaccia di memoria - Frequenza di clock 1866MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.1V Temperatura di esercizio -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 200-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 200-VFBGA (10x14.5) |
