CYD09S36V18-200BBXI
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| Numero parte | CYD09S36V18-200BBXI |
| PNEDA Part # | CYD09S36V18-200BBXI |
| Descrizione | IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA |
| Produttore | Cypress Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.362 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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CYD09S36V18-200BBXI Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CYD09S36V18-200BBXI |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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CYD09S36V18-200BBXI Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Dimensione della memoria | 9Mb (256K x 36) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 200MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 3.3ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 256-LBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 256-FBGA (17x17) |
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