CYD09S18V18-200BBXC
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| Numero parte | CYD09S18V18-200BBXC | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | CYD09S18V18-200BBXC | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA | ||||||||||||||||||
| Produttore | Cypress Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 5.568 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * | ||||||||||||||||||
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CYD09S18V18-200BBXC Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CYD09S18V18-200BBXC |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
CYD09S18V18-200BBXC, CYD09S18V18-200BBXC Datasheet
(Totale pagine: 53, Dimensioni: 1.276,17 KB)
  
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CYD09S18V18-200BBXC Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Dimensione della memoria | 9Mb (512K x 18) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 200MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 3.3ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 256-LBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 256-FBGA (17x17) |
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