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CYD09S18V18-167BBXC

CYD09S18V18-167BBXC

Solo per riferimento

Numero parte CYD09S18V18-167BBXC
PNEDA Part # CYD09S18V18-167BBXC
Descrizione IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $584,8690
50 ---------- $557,4533
100 ---------- $530,0375
200 ---------- $502,6218
400 ---------- $479,7753
500 ---------- $456,9289
Disponibile 326
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CYD09S18V18-167BBXC Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCYD09S18V18-167BBXC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CYD09S18V18-167BBXC, CYD09S18V18-167BBXC Datasheet (Totale pagine: 52, Dimensioni: 1.380,77 KB)
PDFCYD18S72V18-167BGXC Datasheet Copertura
CYD18S72V18-167BGXC Datasheet Pagina 2 CYD18S72V18-167BGXC Datasheet Pagina 3 CYD18S72V18-167BGXC Datasheet Pagina 4 CYD18S72V18-167BGXC Datasheet Pagina 5 CYD18S72V18-167BGXC Datasheet Pagina 6 CYD18S72V18-167BGXC Datasheet Pagina 7 CYD18S72V18-167BGXC Datasheet Pagina 8 CYD18S72V18-167BGXC Datasheet Pagina 9 CYD18S72V18-167BGXC Datasheet Pagina 10 CYD18S72V18-167BGXC Datasheet Pagina 11

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CYD09S18V18-167BBXC Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso4ns
Tensione - Alimentazione1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia256-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore256-FBGA (17x17)

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

576Kb (16K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

208-BFQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

208-PQFP (28x28)

S29GL512S10DHSS60

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (9x9)

BR24G02FVT-3GE2

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.6V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP-B

IDT71T75602S133PF8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

MT48H4M32LFB5-75 AT:K

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPSDR

Dimensione della memoria

128Mb (4M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-VFBGA (8x13)

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