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CY7C1474BV25-167BGI

CY7C1474BV25-167BGI

Solo per riferimento

Numero parte CY7C1474BV25-167BGI
PNEDA Part # CY7C1474BV25-167BGI
Descrizione IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.192
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C1474BV25-167BGI Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C1474BV25-167BGI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C1474BV25-167BGI, CY7C1474BV25-167BGI Datasheet (Totale pagine: 29, Dimensioni: 884,12 KB)
PDFCY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Copertura
CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 2 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 3 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 4 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 5 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 6 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 7 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 8 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 9 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 10 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 11

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CY7C1474BV25-167BGI Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieNoBL™
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria72Mb (1M x 72)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso3.4ns
Tensione - Alimentazione2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia209-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore209-FBGA (14x22)

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256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

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Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

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Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOIC

MT29F4G08ABCWC:C TR

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8, 128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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