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CY7C1413JV18-250BZXC

CY7C1413JV18-250BZXC

Solo per riferimento

Numero parte CY7C1413JV18-250BZXC
PNEDA Part # CY7C1413JV18-250BZXC
Descrizione IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $563,9448
50 ---------- $537,5099
100 ---------- $511,0750
200 ---------- $484,6401
400 ---------- $462,6110
500 ---------- $440,5819
Disponibile 148
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 16 - apr 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C1413JV18-250BZXC Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C1413JV18-250BZXC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C1413JV18-250BZXC, CY7C1413JV18-250BZXC Datasheet (Totale pagine: 28, Dimensioni: 693,1 KB)
PDFCY7C1413JV18-250BZXC Datasheet Copertura
CY7C1413JV18-250BZXC Datasheet Pagina 2 CY7C1413JV18-250BZXC Datasheet Pagina 3 CY7C1413JV18-250BZXC Datasheet Pagina 4 CY7C1413JV18-250BZXC Datasheet Pagina 5 CY7C1413JV18-250BZXC Datasheet Pagina 6 CY7C1413JV18-250BZXC Datasheet Pagina 7 CY7C1413JV18-250BZXC Datasheet Pagina 8 CY7C1413JV18-250BZXC Datasheet Pagina 9 CY7C1413JV18-250BZXC Datasheet Pagina 10 CY7C1413JV18-250BZXC Datasheet Pagina 11

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CY7C1413JV18-250BZXC Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, QDR II
Dimensione della memoria36Mb (2M x 18)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore165-FBGA (15x17)

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

200ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TC)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

28-CDIP

DS28CZ04G-4+T

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2V ~ 5.25V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

12-TQFN (4x4)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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