CY7C1360S-200BGC
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| Numero parte | CY7C1360S-200BGC |
| PNEDA Part # | CY7C1360S-200BGC |
| Descrizione | IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA |
| Produttore | Cypress Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.038 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 4 - nov 9 (Scegli Spedizione rapida) |
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CY7C1360S-200BGC Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CY7C1360S-200BGC |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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CY7C1360S-200BGC Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Synchronous, SDR |
| Dimensione della memoria | 9Mb (256K x 36) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 200MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 3ns |
| Tensione - Alimentazione | 3.135V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 119-BGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 119-PBGA (14x22) |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3.1ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 100-TQFP (14x20) |
Produttore GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 8Mb (1M x 8) Interfaccia di memoria SPI - Dual I/O Frequenza di clock 50MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 60µs, 6ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.65V ~ 2V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EPROM Tecnologia EPROM - OTP Dimensione della memoria 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 150ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 32-TSOP |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR Dimensione della memoria 512Mb (128M x 4) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 700ps Tensione - Alimentazione 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 66-TSOP |
