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CY7C1320JV18-300BZXC

CY7C1320JV18-300BZXC

Solo per riferimento

Numero parte CY7C1320JV18-300BZXC
PNEDA Part # CY7C1320JV18-300BZXC
Descrizione IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.280
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C1320JV18-300BZXC Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C1320JV18-300BZXC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C1320JV18-300BZXC, CY7C1320JV18-300BZXC Datasheet (Totale pagine: 24, Dimensioni: 592,81 KB)
PDFCY7C1320JV18-250BZXI Datasheet Copertura
CY7C1320JV18-250BZXI Datasheet Pagina 2 CY7C1320JV18-250BZXI Datasheet Pagina 3 CY7C1320JV18-250BZXI Datasheet Pagina 4 CY7C1320JV18-250BZXI Datasheet Pagina 5 CY7C1320JV18-250BZXI Datasheet Pagina 6 CY7C1320JV18-250BZXI Datasheet Pagina 7 CY7C1320JV18-250BZXI Datasheet Pagina 8 CY7C1320JV18-250BZXI Datasheet Pagina 9 CY7C1320JV18-250BZXI Datasheet Pagina 10 CY7C1320JV18-250BZXI Datasheet Pagina 11

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CY7C1320JV18-300BZXC Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, DDR II
Dimensione della memoria18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock300MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore165-FBGA (13x15)

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.0ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Adesto Technologies

Produttore

Adesto Technologies

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

8Mb (256 Bytes x 4096 pages)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

7µs, 3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

44-SOJ

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

34-PowerCap™ Module

Pacchetto dispositivo fornitore

34-PowerCap Module

RM25C32DS-LSNI-B

Adesto Technologies

Produttore

Adesto Technologies

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

CBRAM®

Tecnologia

CBRAM

Dimensione della memoria

32kb (32B Page Size)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100µs, 2.5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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