CY7C1263XV18-633BZXC
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| Numero parte | CY7C1263XV18-633BZXC |
| PNEDA Part # | CY7C1263XV18-633BZXC |
| Descrizione | IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA |
| Produttore | Cypress Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.736 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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CY7C1263XV18-633BZXC Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CY7C1263XV18-633BZXC |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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CY7C1263XV18-633BZXC Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Synchronous, QDR II+ |
| Dimensione della memoria | 36Mb (2M x 18) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 633MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 165-LBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (13x15) |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 15ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 44-TSOP II |
Produttore Microchip Technology Serie SST25 Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH Dimensione della memoria 2Mb (256K x 8) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 33MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 20µs Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia DRAM Dimensione della memoria 576Mb (64M x 9) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 15ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 144-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 144-µBGA (18.5x11) |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile Dimensione della memoria 32Mb (2M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 6ns Tensione - Alimentazione 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 54-TFBGA (8x8) |
