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CY7C1021BN-12VXC

CY7C1021BN-12VXC

Solo per riferimento

Numero parte CY7C1021BN-12VXC
PNEDA Part # CY7C1021BN-12VXC
Descrizione IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.182
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 4 - apr 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C1021BN-12VXC Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C1021BN-12VXC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C1021BN-12VXC, CY7C1021BN-12VXC Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 474,42 KB)
PDFCY7C10211BN-10ZXCT Datasheet Copertura
CY7C10211BN-10ZXCT Datasheet Pagina 2 CY7C10211BN-10ZXCT Datasheet Pagina 3 CY7C10211BN-10ZXCT Datasheet Pagina 4 CY7C10211BN-10ZXCT Datasheet Pagina 5 CY7C10211BN-10ZXCT Datasheet Pagina 6 CY7C10211BN-10ZXCT Datasheet Pagina 7 CY7C10211BN-10ZXCT Datasheet Pagina 8 CY7C10211BN-10ZXCT Datasheet Pagina 9 CY7C10211BN-10ZXCT Datasheet Pagina 10

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CY7C1021BN-12VXC Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina12ns
Tempo di accesso12ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore44-SOJ

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TFBGA (8x8)

MT29F4G16ABBDAHC-IT:D

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

4Gb (256M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-VFBGA

AT27LV256A-90TI

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-TSOP

28333513 A

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

24LC16BT-E/ST

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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