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CY62256VLL-70SNXC

CY62256VLL-70SNXC

Solo per riferimento

Numero parte CY62256VLL-70SNXC
PNEDA Part # CY62256VLL-70SNXC
Descrizione IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.580
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 15 - apr 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY62256VLL-70SNXC Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY62256VLL-70SNXC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY62256VLL-70SNXC, CY62256VLL-70SNXC Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 439,19 KB)
PDFCY62256VLL-70ZXIT Datasheet Copertura
CY62256VLL-70ZXIT Datasheet Pagina 2 CY62256VLL-70ZXIT Datasheet Pagina 3 CY62256VLL-70ZXIT Datasheet Pagina 4 CY62256VLL-70ZXIT Datasheet Pagina 5 CY62256VLL-70ZXIT Datasheet Pagina 6 CY62256VLL-70ZXIT Datasheet Pagina 7 CY62256VLL-70ZXIT Datasheet Pagina 8 CY62256VLL-70ZXIT Datasheet Pagina 9 CY62256VLL-70ZXIT Datasheet Pagina 10 CY62256VLL-70ZXIT Datasheet Pagina 11

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CY62256VLL-70SNXC Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieMoBL®
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore28-SOIC

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Microchip Technology

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20µs

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR3

Dimensione della memoria

32Gb (1G x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

933MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.2V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

178-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

178-FBGA (12x11.5)

N25Q008A11EF440E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8ms, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

S29AL008J70TFI010

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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