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CY62157CV33LL-70BAXAT

CY62157CV33LL-70BAXAT

Solo per riferimento

Numero parte CY62157CV33LL-70BAXAT
PNEDA Part # CY62157CV33LL-70BAXAT
Descrizione IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.176
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata feb 19 - feb 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY62157CV33LL-70BAXAT Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY62157CV33LL-70BAXAT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY62157CV33LL-70BAXAT, CY62157CV33LL-70BAXAT Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 338,51 KB)
PDFCY62157CV33LL-70BAXAT Datasheet Copertura
CY62157CV33LL-70BAXAT Datasheet Pagina 2 CY62157CV33LL-70BAXAT Datasheet Pagina 3 CY62157CV33LL-70BAXAT Datasheet Pagina 4 CY62157CV33LL-70BAXAT Datasheet Pagina 5 CY62157CV33LL-70BAXAT Datasheet Pagina 6 CY62157CV33LL-70BAXAT Datasheet Pagina 7 CY62157CV33LL-70BAXAT Datasheet Pagina 8 CY62157CV33LL-70BAXAT Datasheet Pagina 9 CY62157CV33LL-70BAXAT Datasheet Pagina 10 CY62157CV33LL-70BAXAT Datasheet Pagina 11

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CY62157CV33LL-70BAXAT Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieMoBL®
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-FBGA (6x10)

I prodotti a cui potresti essere interessato

71V3556SA133BGG

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

119-BGA

Pacchetto dispositivo fornitore

119-PBGA (14x22)

STK14D88-NF25TR

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOIC

PC28F256G18AE

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

StrataFlash™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

96ns

Tempo di accesso

96ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-EasyBGA (8x10)

X28HC256J-90

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (11.43x13.97)

M24C01-WMN6TP/S

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Venduto di recente

BLM15AG221SN1D

BLM15AG221SN1D

Murata

FERRITE BEAD 220 OHM 0402 1LN

DLW5BSN191SQ2L

DLW5BSN191SQ2L

Murata

CMC 5A 2LN 190 OHM SMD

ACF451832-153-TD01

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TDK

FILTER LC(T) SMD

DSC1001DI5-024.0000

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Microchip Technology

MEMS OSC XO 24.0000MHZ CMOS SMD

DSC6001CI2A-016.0000

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CAP TANT POLY 330UF 6.3V 2917

TAJE687K006RNJ

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CAP TANT 680UF 10% 6.3V 2917

TPSB336K016R0350

TPSB336K016R0350

CAP TANT 33UF 10% 16V 1411

EKXG401ELL820MM25S

EKXG401ELL820MM25S

United Chemi-Con

CAP ALUM 82UF 20% 400V RADIAL

66F070

66F070

Sensata-Airpax

THERMOSTAT 70 DEG NO 8-DIP