CY62147GN18-55BVXI
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Numero parte | CY62147GN18-55BVXI |
PNEDA Part # | CY62147GN18-55BVXI |
Descrizione | IC SRAM 4M PARALLEL |
Produttore | Cypress Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 2.088 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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CY62147GN18-55BVXI Risorse
Brand | Cypress Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | CY62147GN18-55BVXI |
Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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CY62147GN18-55BVXI Specifiche
Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
Serie | MoBL® |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Frequenza di clock | - |
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 55ns |
Tempo di accesso | 55ns |
Tensione - Alimentazione | 1.65V ~ 2.2V |
Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 48-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-VFBGA (6x8) |
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