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CY62128BNLL-70SXET

CY62128BNLL-70SXET

Solo per riferimento

Numero parte CY62128BNLL-70SXET
PNEDA Part # CY62128BNLL-70SXET
Descrizione IC SRAM 1M PARALLEL 32SOIC
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.932
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY62128BNLL-70SXET Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY62128BNLL-70SXET
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY62128BNLL-70SXET, CY62128BNLL-70SXET Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 943,27 KB)
PDFCY62128BNLL-55ZXI Datasheet Copertura
CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 2 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 3 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 4 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 5 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 6 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 7 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 8 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 9 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 10 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 11

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CY62128BNLL-70SXET Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieMoBL®
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore32-SOIC

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

2Tb (256G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

267MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

272-TBGA (14x18)

S99-50186

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR4

Dimensione della memoria

8Gb (2G x 4)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1.6GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

19ns

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.26V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-FBGA (7.5x11)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

S29GL01GT10DHSS20

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-T

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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