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CY62128BNLL-70SXA

CY62128BNLL-70SXA

Solo per riferimento

Numero parte CY62128BNLL-70SXA
PNEDA Part # CY62128BNLL-70SXA
Descrizione IC SRAM 1M PARALLEL 32SOIC
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.132
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY62128BNLL-70SXA Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY62128BNLL-70SXA
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY62128BNLL-70SXA, CY62128BNLL-70SXA Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 943,27 KB)
PDFCY62128BNLL-55ZXI Datasheet Copertura
CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 2 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 3 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 4 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 5 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 6 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 7 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 8 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 9 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 10 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 11

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CY62128BNLL-70SXA Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieMoBL®
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore32-SOIC

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Formato memoria

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Tecnologia

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

3ms

Tempo di accesso

250ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-TSOP

S99-50249 P

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

150MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tensione - Alimentazione

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