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CY14B104N-BA25XC

CY14B104N-BA25XC

Solo per riferimento

Numero parte CY14B104N-BA25XC
PNEDA Part # CY14B104N-BA25XC
Descrizione IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.586
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY14B104N-BA25XC Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY14B104N-BA25XC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY14B104N-BA25XC, CY14B104N-BA25XC Datasheet (Totale pagine: 25, Dimensioni: 791,82 KB)
PDFCY14B104N-ZS45XIT Datasheet Copertura
CY14B104N-ZS45XIT Datasheet Pagina 2 CY14B104N-ZS45XIT Datasheet Pagina 3 CY14B104N-ZS45XIT Datasheet Pagina 4 CY14B104N-ZS45XIT Datasheet Pagina 5 CY14B104N-ZS45XIT Datasheet Pagina 6 CY14B104N-ZS45XIT Datasheet Pagina 7 CY14B104N-ZS45XIT Datasheet Pagina 8 CY14B104N-ZS45XIT Datasheet Pagina 9 CY14B104N-ZS45XIT Datasheet Pagina 10 CY14B104N-ZS45XIT Datasheet Pagina 11

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CY14B104N-BA25XC Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaNVSRAM
TecnologiaNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Dimensione della memoria4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina25ns
Tempo di accesso25ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-FBGA (6x10)

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

3MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

2ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

20Kb (256 x 80)

Interfaccia di memoria

1-Wire®

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TDFN-EP (3x3)

71024S12YG8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOJ

CY7C1360C-200BGCT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

119-PBGA (14x22)

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

EPROM - UV

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

80ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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