CY14B102NS-BA45XC
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| Numero parte | CY14B102NS-BA45XC | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | CY14B102NS-BA45XC | ||||||||||||||||||
| Descrizione | NON VOLATILE SRAMS | ||||||||||||||||||
| Produttore | Cypress Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 1.825 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | apr 17 - apr 22 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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CY14B102NS-BA45XC Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CY14B102NS-BA45XC |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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CY14B102NS-BA45XC Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | NVSRAM |
| Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Dimensione della memoria | 2Mb (128K x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 45ns |
| Tempo di accesso | 45ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 48-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 48-FBGA (6x10) |
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Produttore Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 8Mb (1M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 70ns Tempo di accesso 70ns Tensione - Alimentazione 4.75V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 36-DIP Module (0.610", 15.49mm) Pacchetto dispositivo fornitore 36-DIP Module (18.42x52.96) |
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