CY14B101L-SP35XI
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| Numero parte | CY14B101L-SP35XI |
| PNEDA Part # | CY14B101L-SP35XI |
| Descrizione | IC NVSRAM 1M PARALLEL 48SSOP |
| Produttore | Cypress Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.622 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 2 - apr 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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CY14B101L-SP35XI Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CY14B101L-SP35XI |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
CY14B101L-SP35XI, CY14B101L-SP35XI Datasheet
(Totale pagine: 20, Dimensioni: 954,91 KB)
  
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CY14B101L-SP35XI Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | NVSRAM |
| Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 35ns |
| Tempo di accesso | 35ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 48-SSOP |
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Produttore Winbond Electronics Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 5.4ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -25°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 90-VFBGA (8x13) |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH Dimensione della memoria 16Mb (2M x 8, 1M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 200µs Tempo di accesso 55ns Tensione - Alimentazione 2.65V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-TFBGA, CSPBGA Pacchetto dispositivo fornitore 48-CBGA (6x8) |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 4.2ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore 119-PBGA (14x22) |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 128Kb (16K x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 400kHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso 900ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-WFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-TDFN (2x3) |
