CSD86356Q5D
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| Numero parte | CSD86356Q5D |
| PNEDA Part # | CSD86356Q5D |
| Descrizione | 25V POWERBLOCK N CH MOSFET |
| Produttore | Texas Instruments |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.014 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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CSD86356Q5D Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CSD86356Q5D |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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CSD86356Q5D Specifiche
| Produttore | |
| Serie | NexFET™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Funzione FET | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V |
| Potenza - Max | 12W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-VSON-CLIP (5x6) |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A, 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
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