CSD25485F5T
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| Numero parte | CSD25485F5T |
| PNEDA Part # | CSD25485F5T |
| Descrizione | CSD25485F5T |
| Produttore | Texas Instruments |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 52.410 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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CSD25485F5T Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CSD25485F5T |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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CSD25485F5T Specifiche
| Produttore | |
| Serie | FemtoFET™ |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.3A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 900mA, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | -12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 533pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.4W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-PICOSTAR |
| Pacchetto / Custodia | 3-XFDFN |
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Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.75mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 155µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 117nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8110pF @ 40V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 214W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-3 Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
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