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CSD25402Q3A

CSD25402Q3A

Solo per riferimento

Numero parte CSD25402Q3A
PNEDA Part # CSD25402Q3A
Descrizione MOSFET P-CH 20V 76A 8SON
Produttore Texas Instruments
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.323.998
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CSD25402Q3A Risorse

Brand Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCSD25402Q3A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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CSD25402Q3A Specifiche

Produttore
SerieNexFET™
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C76A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.9mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.15V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.7nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1790pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.8W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-VSON (3.3x3.3)
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

TrenchMV™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

55A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19.5mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

130W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

DMN3026LVTQ-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.6A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

643pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TSOT-26

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

MTW32N20E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

32A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

180W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.05Ohm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4080pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

463W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXFH)

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

CSD17522Q5A

Texas Instruments

Produttore

Serie

NexFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

87A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.1mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.3nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

695pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-VSONP (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Venduto di recente

LTC1773EMS#TRPBF

LTC1773EMS#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK 10MSOP

ADP1755ACPZ-R7

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Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 1.2A 16LFCSP

IRGP4750D-EPBF

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Infineon Technologies

IGBT 650V 70A 273W TO247AD

VN10LP

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3

BT137S-600D,118

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WeEn Semiconductors

TRIAC SENS GATE 600V 8A DPAK

0466005.NRHF

0466005.NRHF

Littelfuse

FUSE BOARD MNT 5A 32VAC/VDC 1206

MT29F128G08CFABAWP:B

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 128G PARALLEL 48TSOP

BYV26C-TAP

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Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57

AD9528BCPZ

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IC CLOCK GEN 1.25GHZ VCO 72LFCSP

VS-30BQ015PBF

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Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 15V 3A SMC

ESD5B5.0ST1G

ESD5B5.0ST1G

ON Semiconductor

TVS DIODE 5V SOD523

W25Q16JVZPIQ TR

W25Q16JVZPIQ TR

Winbond Electronics

IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8WSON