CSD23202W10
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| Numero parte | CSD23202W10 |
| PNEDA Part # | CSD23202W10 |
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA |
| Produttore | Texas Instruments |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 1.367.952 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD23202W10 Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CSD23202W10 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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CSD23202W10 Specifiche
| Produttore | |
| Serie | NexFET™ |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | -6V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 512pF @ 6V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DSBGA (1x1) |
| Pacchetto / Custodia | 4-UFBGA, DSBGA |
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