CS2G-E3/I
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Numero parte | CS2G-E3/I |
PNEDA Part # | CS2G-E3-I |
Descrizione | DIODE GPP 2A 400V DO-214AA SMB |
Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 7.956 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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CS2G-E3/I Risorse
Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | CS2G-E3/I |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
Datasheet |
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CS2G-E3/I Specifiche
Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | - |
Tipo di diodo | Standard |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 400V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 1.6A |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 2A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2.1µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Microsemi Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 800V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 3A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 500nA @ 800V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia A, Axial Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 200°C |
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