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CS1M-E3/I

CS1M-E3/I

Solo per riferimento

Numero parte CS1M-E3/I
PNEDA Part # CS1M-E3-I
Descrizione DIODE GPP 1000V 1.0A DO-214AC
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.190
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 7 - apr 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CS1M-E3/I Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCS1M-E3/I
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
CS1M-E3/I, CS1M-E3/I Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 89,91 KB)
PDFCS1M-E3/H Datasheet Copertura
CS1M-E3/H Datasheet Pagina 2 CS1M-E3/H Datasheet Pagina 3 CS1M-E3/H Datasheet Pagina 4

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CS1M-E3/I Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1000V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 1A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)1.5µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F6pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Produttore

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Serie

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

880V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 1.4A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2µA @ 880V

Capacità @ Vr, F

40pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SQ-MELF, E

Pacchetto dispositivo fornitore

D-5B

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

UF4005HR0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

75ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

17pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

NRVB30H100MFST1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN, 5 Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

350mV @ 100mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

30µA @ 10V

Capacità @ Vr, F

42pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-76, SOD-323

Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

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