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CRS30I40A(TE85L,QM

CRS30I40A(TE85L,QM

Solo per riferimento

Numero parte CRS30I40A(TE85L,QM
PNEDA Part # CRS30I40A-TE85L-QM
Descrizione DIODE SCHOTTKY 40V 3A S-FLAT
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.650
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 25 - dic 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CRS30I40A(TE85L Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCRS30I40A(TE85L,QM
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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CRS30I40A(TE85L Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)40V
Corrente - Media Rettificata (Io)3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If550mV @ 3A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr100µA @ 40V
Capacità @ Vr, F62pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOD-123F
Pacchetto dispositivo fornitoreS-FLAT (1.6x3.5)
Temperatura di esercizio - Giunzione150°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

170pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AC, DO-15, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AC (DO-15)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

SS10PH45HM3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

720mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

80µA @ 45V

Capacità @ Vr, F

270pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-277, 3-PowerDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-277A (SMPC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 3A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

SMC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

1N5391G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1.5A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AC, DO-15, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AC (DO-15)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

VS-E5PX6012L-N3

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

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1200V

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Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 1200V

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