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CPH6636R-TL-W

CPH6636R-TL-W

Solo per riferimento

Numero parte CPH6636R-TL-W
PNEDA Part # CPH6636R-TL-W
Descrizione MOSFET 2N-CH 24V 6A CPH6
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 145.074
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CPH6636R-TL-W Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCPH6636R-TL-W
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
CPH6636R-TL-W, CPH6636R-TL-W Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 320,76 KB)
PDFCPH6636R-TL-W Datasheet Copertura
CPH6636R-TL-W Datasheet Pagina 2 CPH6636R-TL-W Datasheet Pagina 3 CPH6636R-TL-W Datasheet Pagina 4 CPH6636R-TL-W Datasheet Pagina 5

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CPH6636R-TL-W Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzione FETLogic Level Gate, 2.5V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)24V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max900mW
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore6-CPH

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

35V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A, 5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 15V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

950mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1.6µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.32nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

63pF @ 10V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

57A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1035pF @ 30V

Potenza - Max

62.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

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