Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

CPH6347-TL-H

CPH6347-TL-H

Solo per riferimento

Numero parte CPH6347-TL-H
PNEDA Part # CPH6347-TL-H
Descrizione MOSFET P-CH 20V 6A CPH6
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.212
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CPH6347-TL-H Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCPH6347-TL-H
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
CPH6347-TL-H, CPH6347-TL-H Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 386,61 KB)
PDFCPH6347-TL-H Datasheet Copertura
CPH6347-TL-H Datasheet Pagina 2 CPH6347-TL-H Datasheet Pagina 3 CPH6347-TL-H Datasheet Pagina 4 CPH6347-TL-H Datasheet Pagina 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • CPH6347-TL-H Datasheet
  • where to find CPH6347-TL-H
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor CPH6347-TL-H
  • CPH6347-TL-H PDF Datasheet
  • CPH6347-TL-H Stock

  • CPH6347-TL-H Pinout
  • Datasheet CPH6347-TL-H
  • CPH6347-TL-H Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • CPH6347-TL-H Price
  • CPH6347-TL-H Distributor

CPH6347-TL-H Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs39mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.5nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds860pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.6W (Ta)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-CPH
Pacchetto / CustodiaSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

I prodotti a cui potresti essere interessato

MSC015SMA070B

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Tensione Drain to Source (Vdss)

700V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

131A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

215nC @ 20V

Vgs (massimo)

+25V, -10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 700V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

400W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

FDPF10N60ZUT

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1980pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

42W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

IRF530NSPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

920pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 70W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FQNL2N50BTA

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

350mA (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3Ohm @ 175mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

APT4065BNG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS IV®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

400V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

180W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Venduto di recente

0154007.DR

0154007.DR

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 125VAC/VDC 2SMD

MCP73833-FCI/UN

MCP73833-FCI/UN

Microchip Technology

IC LI-ION/LI-POLY CTRLR 10MSOP

ADG849YKSZ-REEL7

ADG849YKSZ-REEL7

Analog Devices

IC SWITCH SPDT SC70-6

CY37064P44-125JXC

CY37064P44-125JXC

Cypress Semiconductor

IC CPLD 64MC 10NS 44PLCC

LQH43CN100K03L

LQH43CN100K03L

Murata

FIXED IND 10UH 650MA 240 MOHM

HX1188NL

HX1188NL

Pulse Electronics Network

MODULE XFRMR SGL ETHR LAN 16SOIC

V23050-A1110-A533

V23050-A1110-A533

TE Connectivity Potter & Brumfield Relays

RELAY SAFETY 6PST 8A 110V

ADR421ARMZ-REEL7

ADR421ARMZ-REEL7

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8MSOP

0217.500MXP

0217.500MXP

Littelfuse

FUSE GLASS 500MA 250VAC 5X20MM

SMAJ40CA

SMAJ40CA

Bourns

TVS DIODE 40V 64.5V SMA

CDSU4148

CDSU4148

Comchip Technology

DIODE GEN PURP 75V 150MA 0603

MAX202EEUE

MAX202EEUE

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP