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CPH3348-TL-W

CPH3348-TL-W

Solo per riferimento

Numero parte CPH3348-TL-W
PNEDA Part # CPH3348-TL-W
Descrizione MOSFET P-CH 12V 3A CPH3
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.534
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CPH3348-TL-W Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCPH3348-TL-W
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
CPH3348-TL-W, CPH3348-TL-W Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 605,79 KB)
PDFCPH3348-TL-E Datasheet Copertura
CPH3348-TL-E Datasheet Pagina 2 CPH3348-TL-E Datasheet Pagina 3 CPH3348-TL-E Datasheet Pagina 4 CPH3348-TL-E Datasheet Pagina 5

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CPH3348-TL-W Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.6nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds405pF @ 6V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1W (Ta)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore3-CPH
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 960µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

88nC @ 10V

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2267pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

219W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220 [K]

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

FQB9N50TM

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

730mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1450pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.13W (Ta), 147W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRF7604TR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.8W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Micro8™

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20.2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 630µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

151W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

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