CMLDM7003 TR
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| Numero parte | CMLDM7003 TR |
| PNEDA Part # | CMLDM7003-TR |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 |
| Produttore | Central Semiconductor Corp |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 27.972 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 2 - apr 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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CMLDM7003 TR Risorse
| Brand | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CMLDM7003 TR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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CMLDM7003 TR Specifiche
| Produttore | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 50V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 280mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 50mA, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.76nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Potenza - Max | 350mW |
| Temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
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Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.3mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 10V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Microsemi Corporation Serie CoolMOS™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Super Junction Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 95A Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 47.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14400pF @ 25V Potenza - Max 462W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP3 Pacchetto dispositivo fornitore SP3 |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 690pF @ 25V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 333A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 166.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1184nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 40800pF @ 25V Potenza - Max 1250W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP4 Pacchetto dispositivo fornitore SP4 |
