CMG02(TE12L,Q,M)
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| Numero parte | CMG02(TE12L,Q,M) |
| PNEDA Part # | CMG02-TE12L-Q-M |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 400V 2A M-FLAT |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.400 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida) |
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CMG02(TE12L Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CMG02(TE12L,Q,M) |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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CMG02(TE12L Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 400V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 2A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOD-128 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | M-FLAT (2.4x3.8) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1000V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 3µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
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